Bevezetés
- C1: Optikai alapok az ELI-ALPS tükrében - MSc
- Bevezető I.
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába I.
- A lézerműködés alapelvei
- Gerjesztett kvantumállapotok spontán emissziója
- Indukált abszorpció és emisszió
- Populácóinverzió és erősítés
- Pozitív visszacsatolás és lézeroszcillációk
- Abszorpció telítődése
- Abszorpció és indukált emisszió, kvázi-klasszikus leírás
- Abszorpciós hatáskeresztmetszet, homogén vonalkiszélesedés
- Abszorpciós hatáskeresztmetszet, inhomogén vonalkiszélesedés
- Vonalkiszélesedést okozó hatások
- Gyakori lézerátmenetek paraméterei
- Rezonátorok
- Pumpálás
- Tesztkérdések I.
- A lézerműködés alapelvei
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába II.
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába III.
- Folytonos üzemű lézerek: rate-egyenletek, 4-nívós séma
- Lézerek hangolása
- Sokmódusú lézeroszcilláció homogén frekvenciakiszélesedés esetén
- Sokmódusú lézeroszcilláció inhomogén frekvenciakiszélesedés esetén
- Transzverzális egymódus-szelekció
- Longitudinális egymódus-szelekció
- Fabry-Perot etalonok, mint módusszelektív elemek
- Egymódus-szelekció egyirányú gyűrűrezonátorok segítségével
- Lézerfrekvencia fluktuációi és frekvenciastabilizáció
- Lézerintenzitás zaja és zajcsökkentés
- Q-kapcsolás
- Móduscsatolás (Mode locking)
- Tesztkérdések III.
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába IV.
- Bevezetés a nemlineáris optikába
- Tesztkérdések IV.
- Az optikai méréstechnika alapjai I. - Az optikai méréstechnika eszközei
- Az optikai méréstechnika alapjai II. - Interferometria
- Az optikai méréstechnika alapjai III. - Fényszórás, polarizáció
- Az optikai méréstechnika alapjai IV.
- Tartalomjegyzék
- Bevezetés
- UV-látható spektroszkópia
- Infravörös spektroszkópia
- Raman spektroszkópia
- Lumineszcencia (fluoreszcencia) spektroszkópia
- Tesztkérdések VIII.
- Vékonyrétegek I.
- Vékonyrétegek II.
- Vékonyrétegek III.
- Vékonyrétegek IV.
Kettős heterostruktúra lézer
Megfelelően optimalizálva egy ilyen diódastruktúra szobahőmérsékleti küszöb-áramsűrűsége két nagyságrenddel csökkenthető a hasonló paraméterezésű homoátmenetes eszközökhöz képest, ezáltal a szobahőmérsékleti CW üzemmód lehetségessé válik.
A küszöbáram ilyen mértékű csökkentése három körülmény összejátszásának köszönhető:
(1) Az aktív réteg n1 törésmutatója jóval nagyobb, mint a p- és n-oldalé (n2), emiatt hullámvezetőként működik. Ezáltal a lézernyaláb kiterjedése szinte teljesen az aktív régióra korlátozódik.
(2) Az aktív réteg tiltott sávjának Eg1 szélessége jóval kisebb, mint Eg2, az aktív réteget körülvevő régióé. Enek eredményeképpen a két átmeneti síknál energiagátak keletkeznek, melyek a struktúrába injektált elektronokat és lyukakat az aktív rétegben maradásra kényszerítik (carrier confinement). Tehát adott áramsűrűségre az aktív rétegben levő lyukak és elektronok száma nagyobb lesz, ezáltal az erősítés is nő.
(3) Mivel Eg2 lényegesen nagyobb, mint Eg1, a ν=Eg1/h frekvenciájú lézernyaláb aktív anyagon kívüli tartományba belógó része sokkal kevésbé abszorbeálódik (ld. (b) ábra).