Ionimplantáció
Az egyik legelterjedtebb módszer az ionimplantáció.
Az implantálás alacsony hőmérsékleteken történik (ált. 300 °C alatt), ezért a céltárgy hő hatására történő deformációja elkerülhető.
A felületet csak kis mélységben változtatja meg, a tömbi tulajdonság változatlanul megmarad.
A felület összetétele tág határok között változtatható, hiszen elvileg bármely ion implantálható.
A bevitt anyag mélységbeli eloszlása is változtatható.
Az eljárás hátrányai közé sorolható a magas költség (bonyolult berendezés), a céltárgy méretének korlátozottsága (vákuum kamra), esetenként a kis behatolási mélység. A hagyományos implantációval csak a “látható” felületek módosíthatók, bonyolult üregek nem.
Az ionok mélységbeli eloszlása a gyorsító feszültséggel szabályozható.
A gyorsító feszültség növelésével a behatolási mélység maximuma a minta belseje felé tolódik el, az adalék koncentrációja a felület közelében kicsi. A profil korrigálható különböző gyorsító feszültségek egymást követő alkalmazásával.
Nagy gyorsító feszültségeknél az ionok beépülésén kívül egyéb folyamat – porlasztás is – végbemegy és az elérhető koncentrációt limitálja.
Felhasználása a félvezető iparban főleg fémek felületének módosítására, kopás- és korrózióálló felületek kialakítására különféle szerszámoknál és a szervezetbe beültetett protéziseknél.