- C1: Optikai alapok az ELI-ALPS tükrében - MSc
- Bevezető I.
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába I.
- A lézerműködés alapelvei
- Gerjesztett kvantumállapotok spontán emissziója
- Indukált abszorpció és emisszió
- Populácóinverzió és erősítés
- Pozitív visszacsatolás és lézeroszcillációk
- Abszorpció telítődése
- Abszorpció és indukált emisszió, kvázi-klasszikus leírás
- Abszorpciós hatáskeresztmetszet, homogén vonalkiszélesedés
- Abszorpciós hatáskeresztmetszet, inhomogén vonalkiszélesedés
- Vonalkiszélesedést okozó hatások
- Gyakori lézerátmenetek paraméterei
- Rezonátorok
- Pumpálás
- Tesztkérdések I.
- A lézerműködés alapelvei
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába II.
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába III.
- Folytonos üzemű lézerek: rate-egyenletek, 4-nívós séma
- Lézerek hangolása
- Sokmódusú lézeroszcilláció homogén frekvenciakiszélesedés esetén
- Sokmódusú lézeroszcilláció inhomogén frekvenciakiszélesedés esetén
- Transzverzális egymódus-szelekció
- Longitudinális egymódus-szelekció
- Fabry-Perot etalonok, mint módusszelektív elemek
- Egymódus-szelekció egyirányú gyűrűrezonátorok segítségével
- Lézerfrekvencia fluktuációi és frekvenciastabilizáció
- Lézerintenzitás zaja és zajcsökkentés
- Q-kapcsolás
- Móduscsatolás (Mode locking)
- Tesztkérdések III.
- A lézerfizika alapelvei és bevezetés a nemlineáris optikába IV.
- Bevezetés a nemlineáris optikába
- Tesztkérdések IV.
- Az optikai méréstechnika alapjai I. - Az optikai méréstechnika eszközei
- Az optikai méréstechnika alapjai II. - Interferometria
- Az optikai méréstechnika alapjai III. - Fényszórás, polarizáció
- Az optikai méréstechnika alapjai IV.
- Tartalomjegyzék
- Bevezetés
- UV-látható spektroszkópia
- Infravörös spektroszkópia
- Raman spektroszkópia
- Lumineszcencia (fluoreszcencia) spektroszkópia
- Tesztkérdések VIII.
- Vékonyrétegek I.
- Vékonyrétegek II.
- Vékonyrétegek III.
- Vékonyrétegek IV.
Homoátmenet lézer
P-n-átmenet lézer tipikus konfigurációját látjuk az ábrán. Az árnyalt rész az aktív réteget mutatja. A dióda méretei igen kicsik, csupán néhány mikrométer. A lézeraktivitáshoz szükséges visszacsatolás érdekében a dióda két végén található lapokat munkálják meg, általában a kristályfelület menti hasítással. A két határfelületet általában be sem vonják fényvisszaverő réteggel, mivel a félvezető törésmutatója igen nagy és ezáltal a félvezető-levegő határon való Fresnel-visszaverődés miatti visszaverőképesség elegendően nagy (GaAs esetén 32%). Az aktív anyag vastagsága a p-n átmenetre merőlegesen d~1μm. A diffrakció következtében azonban a lézernyaláb transzverzális kiterjedése jóval nagyobb (~5 μm), mint az aktív régió. A homoátmenet-lézer küszöb-áramsűrűsége szobahőmérsékleten igen magas, az aktív anyag viszonylag nagy kiterjedése és a p és n régiókban elszenvedett abszorpciós veszteségek miatt, ezért szobahőmérsékleten a lézert nem lehet CW üzemmódban használni.